多束濺射沉積系統(tǒng)
針對(duì)多元材料研究中對(duì)高通量需求的創(chuàng)新解決方案：多束濺射沉積技術(shù)?；陔x子束濺射的獨(dú)特幾何結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，搭配我們超緊湊、超低功耗的ECR技術(shù)生成的多重離子束。其核心特點(diǎn)是能在靜態(tài)基板上實(shí)現(xiàn)成分與厚度均勻的沉積，或通過緊湊型濺射靶材實(shí)現(xiàn)可控梯度沉積。整套系統(tǒng)高度自動(dòng)化，占地面積極小。
MBS-24系統(tǒng)圖示：50×50×50厘米沉積系統(tǒng)，配備24個(gè)獨(dú)立離子源，可制備?10厘米范圍內(nèi)均勻性達(dá)±2%的（多元）薄膜
“化繁為簡(jiǎn)”的離子束沉積
傳統(tǒng)離子束沉積系統(tǒng)通常被認(rèn)為體積龐大且操作復(fù)雜。我們的多束沉積系統(tǒng)旨在顛覆這一認(rèn)知。憑借全新的設(shè)計(jì)理念，離子束沉積如今可以變得簡(jiǎn)單易行。
▌可調(diào)沉積參數(shù)
在大電流與寬能量范圍內(nèi)保持離子束穩(wěn)定
▌簡(jiǎn)易操作系統(tǒng)
高可靠性離子源搭配友好用戶界面
▌低維護(hù)需求
專利設(shè)計(jì)保護(hù)離子源與腔體免受沉積污染
只需啟動(dòng)預(yù)設(shè)方案，系統(tǒng)即可利用最多24個(gè)獨(dú)立靶材（根據(jù)離子源數(shù)量）沉積幾乎所有固態(tài)靶材薄膜。除離子源工作所需的惰性氣體外，通過在樣品附近通入反應(yīng)氣體（如氮?dú)饣蜓鯕猓?，還可制備氮化物或氧化物等反應(yīng)沉積薄膜。
我們的技術(shù)對(duì)樣品極為友好，與傳統(tǒng)離子束濺射沉積相同：基板可選用敏感材料，因其不受等離子體侵蝕（等離子體僅存在于離子源腔內(nèi)），無需偏壓且溫升極低。
系統(tǒng)沉積的薄膜具有典型離子束濺射特性：致密光滑，多呈納米晶態(tài)，且不含離子源惰性氣體。特殊幾何結(jié)構(gòu)還能實(shí)現(xiàn)半保形沉積。
多元薄膜的無限可能
我們的ECR離子源技術(shù)為多元薄膜制備提供了廣闊空間：
離子源具備寬泛的束流和能量調(diào)節(jié)范圍
每個(gè)離子源通過獨(dú)立射頻電源控制
可單獨(dú)快速啟停離子源
這不僅支持均勻多元材料沉積，還能精確調(diào)控非均勻組分分布——橫向組分梯度適用于組合材料高通量篩選，縱向梯度則能優(yōu)化薄膜附著力或制造漸變折射率材料。
▌合金與化合物沉積
全成分范圍內(nèi)精確控制化學(xué)計(jì)量比
▌功能梯度薄膜
動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)各離子源沉積速率及能量
▌多層膜沉積
通過獨(dú)立啟停離子源構(gòu)建多層結(jié)構(gòu)
系統(tǒng)規(guī)格（MBS-24）
50×50×50厘米真空腔體
?32厘米離子源環(huán)
最多24個(gè)離子源（獨(dú)立射頻電源）
單離子源0-500μA束流
5-10kV離子束能量
油冷系統(tǒng)（源環(huán)與靶材）
15m3/h羅茨泵+700l/s渦輪泵
工作氣體：如Ar、Xe
預(yù)設(shè)方案沉積
實(shí)時(shí)自動(dòng)束流調(diào)節(jié)
可定制樣品（頂部）裝載
?10cm靜態(tài)沉積70nm/h時(shí)均勻性±2%
最多4組分的均勻薄膜
反應(yīng)氣體入口：如O?、N?
膜厚監(jiān)控儀
