ADP

ADP 調(diào)制器可設(shè)計(jì)為在從紫外線到可見(jiàn)光直至約 900nm 的所有波長(zhǎng)下工作，并且基本上沒(méi)有壓電共振。這種調(diào)制器類型具有高度的溫度穩(wěn)定性，但在需要長(zhǎng)期直流振幅的情況下，它應(yīng)該在恒溫環(huán)境中運(yùn)行。調(diào)制頻率不受設(shè)備特性的限制，除了其電容之外，因此取決于所使用的驅(qū)動(dòng)電路。所有組件均使用寬帶增透膜，或者我們可以提供流體填充版本，包括超高傳輸類型。

ADP 設(shè)計(jì)的一個(gè)特點(diǎn)是，由于光學(xué)傳播不沿對(duì)稱軸，異常偏振光會(huì)“走離”，因此有必要使用四個(gè)匹配的晶體，適當(dāng)定向以補(bǔ)償兩者走離以及靜態(tài)雙折射。這確實(shí)對(duì)最大傳輸有輕微影響，因?yàn)榕c其他調(diào)制器類型相比，晶體表面的數(shù)量是其兩倍。

KD*P

橫向 KD*P 電光調(diào)制器能夠提供比 ADP 型更高的熱穩(wěn)定性，這主要是因?yàn)樗鼈儾恍枰嗤乃木w排列。傳輸范圍也擴(kuò)展到 1200nm 左右，其消光比也優(yōu)于其 ADP 對(duì)應(yīng)物。然而，它確實(shí)顯示出壓電特性，因此對(duì)于數(shù)百 kHz 至低 MHz 范圍內(nèi)的高頻調(diào)制而言，這不是一個(gè)好的選擇，盡管使用共振阻尼技術(shù)可以改善此處的性能。這些設(shè)備也可以提供帶有合適 AR 涂層的干燥設(shè)備或填充液體的設(shè)備，包括超高傳輸版本。

LiNb0₃

鈮酸鋰是一種高溫生長(zhǎng)的光學(xué)材料，與 ADP 和 KD*P 晶體不同，它不溶于水。雖然它不能在低于 500nm 的波長(zhǎng)范圍內(nèi)安全運(yùn)行（以及高達(dá) ~800nm 的波長(zhǎng)，但要謹(jǐn)慎使用低光功率），但高于此范圍時(shí)，它在 ~4μm 范圍內(nèi)具有良好的透明度。為了獲得最佳的熱穩(wěn)定性，最好使用 Z 形切割晶體，這是我們的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，并且沒(méi)有靜態(tài)雙折射需要補(bǔ)償。然而，雙折射補(bǔ)償 X 切設(shè)計(jì)可獲得更高的靈敏度。這種切割也用于不需要這種補(bǔ)償?shù)南辔徽{(diào)制器。

不幸的是，鈮酸鋰具有很強(qiáng)的壓電特性，這會(huì)限制其在某些需要良好時(shí)間性能的應(yīng)用中的使用。電池是干燥的，在晶體和窗口上有合適的 AR 涂層（雖然技術(shù)上并不總是需要用于密封電池以防止灰塵等）

英國(guó)LEYSOP Ltd EM200 ADP KD*P LiNb03低電壓電光調(diào)制器產(chǎn)品規(guī)格